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BSH111BKR  与  SN7002N H6433  区别

型号 BSH111BKR SN7002N H6433
唯样编号 A36-BSH111BKR A-SN7002N H6433
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述 Single N-Channel 55 V 364 mW 0.5 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 1.3mm
Rds On(Max)@Id,Vgs -
上升时间 - 3.2ns
产品特性 - 车规
Qg-栅极电荷 - 1nC
栅极电压Vgs ±10V 10V
正向跨导 - 最小值 - 90mS
封装/外壳 SOT23 -
工作温度 150°C -55°C~150°C
连续漏极电流Id 0.21A 200mA
配置 - Single
输入电容 19.1pF -
长度 - 2.9mm
下降时间 - 3.6ns
高度 - 1.10mm
漏源极电压Vds 55V 60V
Pd-功率耗散(Max) 0.302W 0.36W
输出电容 2.7pF -
典型关闭延迟时间 - 5.3ns
FET类型 N-Channel N-Channel
通道数量 - 1Channel
系列 - XN7002
Rds On(max)@Id,Vgs 4Ω@200mA,4.5V -
典型接通延迟时间 - 2.4ns
库存与单价
库存 190 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSH111BKR Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

SOT23 N-Channel 0.302W 150°C ±10V 55V 0.21A

暂无价格 190 当前型号
ZVN3306FTA Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 330mW(Ta) ±20V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 60V 150mA(Ta)

¥1.0593 

阶梯数 价格
50: ¥1.0593
200: ¥0.8151
1,500: ¥0.7084
3,000: ¥0.6589
4,578 对比
BS870Q-7-F Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

N-Channel 300mW ±20V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 60V 250mA(Ta) 车规

¥0.4108 

阶梯数 价格
130: ¥0.4108
200: ¥0.2639
2,759 对比
SN7002N H6433 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

60V 200mA 5Ω 10V 0.36W N-Channel -55°C~150°C 车规

暂无价格 0 对比

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